Электроника. Соколов С.В., Титов Е.В.

М.: 2013.— 204 с.

В учебном пособии рассмотрены базовые разделы электроники: полупроводниковая электроника, микроэлектроника и функциональная электроника. Дано краткое изложение физических основ построения элементной базы приборов и устройств, их упрощенного математического анализа. Приведен список рекомендуемой литературы для углубленного изучения материала. Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 210700 - "Инфокоммуникационные технологии и системы связи" квалификации (степени) "бакалавр" и квалификации (степени) "магистр", будет полезно для студентов электронных и радиотехнических направлений вузов, аспирантов и специалистов.

Формат: pdf

Размер: 10 Мб

Смотреть, скачать: drive.google

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение 3
1. Введение в электронику 4
1.1. Краткая историческая справка о развитии электроники 4
1.2. Этапы развития элементной базы электроники 20
1.3. Классификация элементной базы микроэлектроники 23
1.4. Место микроэлектроники в сфере высоких технологий 24
2. Физические основы работы полупроводниковых приборов 27
2.1. Общие сведения о полупроводниках 27
2.2. Основные физические явления в полупроводниках 31
2.3. Электронно-дырочный переход и основные физические явления в нем 35
3. Электронно-дырочный переход при прямом и обратном включении 38
3.1. Прямое смещение р-п-перехода 38
3.2. Обратное смещение р-п-перехода 40
3.3. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) р-п-перехода 41
3.4. Явления пробоя р-п-перехода 42
4. Полупроводниковые диоды 45
4.1. Основные характеристики и параметры полупроводнико¬вых диодов 45
4.2. Основные типы диодов 48
4.3. Использование вольт-амперной характеристики диода для определения его режима работы 57
4.4. Математические модели диодов и их использование для анализа электронных схем 58
5. Униполярные транзисторы. Полевые транзисторы . 61
5.1. Общие сведения о работе униполярных транзисторов 61
5.2. Структура и принцип действия полевых транзисторов 63
5.3. Статические характеристики полевых транзисторов 65
5.4. Малосигнальные параметры и эквивалентная схема полевого транзистора 67
6. МДП-транзисторы 86
6.1. Структура и принцип действия МДП-транзисторов 86
6.2. Статические характеристики МДП-транзисторов 70
6.3. Малосигнальные параметры и эквивалентная схема МДП-транзистора 75
7. Биполярные транзисторы 86
7.1. Устройство и основные физические процессы 86
7.2. Характеристики и параметры схемы с общей базой 89
7.3. Характеристики и параметры схемы с общим эмиттером 95
7.4. Три схемы включения транзистора с ненулевым сопротивлением нагрузки 96
7.5. /г-параметры транзисторов 98
8. Математические модели биполярного транзистора 100
8.1. Модель Эберса-Молла с двумя источниками тока, управляемыми токами 100
8.2. Модель Эберса-Молла с одним источником тока, управляемым током 101
8.3. Эквивалентная схема транзистора для расчета схем с общим эмиттером 103
8.4. Анализ схем с транзисторами 104
9. Усилители постоянного тока 107
9.1. Основные понятия и определения 107
9.2. Компенсационные УПТ 108
9.3. Дрейф в УПТ 112
9.4. Балансные УПТ ИЗ
9.5. УПТ с преобразованием усиливаемого напряжения 123
10. Операционные усилители 119
10.1. Основные понятия и определения 119
10.2. Структурная схема операционного усилителя 120
10.3. Основные параметры операционного усилителя 122
10.4. Передаточная характеристика операционного усилителя 124
10.5. Частотные свойства операционного усилителя 125
10.6. Влияние различных факторов на выходное напряжение операционного усилителя 129
10.7. Классификация операционных усилителей 131
11. Интегральные микросхемы 133
11.1. Общие понятия и определения микроэлектроники 133
11.2. Большие интегральные микросхемы 137
11.3. Сравнение различных типов ИМС 141
12. Физико-технологические принципы изготовления ИМС 144
12.1. Изоляция элементов ИМС 144
12.2. Особенности и классификация процессов изготовления полупроводниковых биполярных ИМС 146
12.2.1. Стандартная технология 147
12.2.2. КИД-технология 155
12.2.3. ВИД-технология 155
12.3. Особенности, этапы и классификация процессов изготовления гибридных ИМС 157
12.3.1. Особенности и классификация процессов изготовления гибридных ИМС 157
12.3.2. Основные этапы изготовления плат 159
13. Программируемые логические матрицы. Программируемая матричная логика. Базовые матричные кристаллы 161
13.1. Основные сведения, классификация, области применения 161
13.2. Программируемые логические матрицы 163
13.3. Программируемая матричная логика 168
13.3.1. Схемы с программируемым выходным буфером 169
13.3.2. Схемы с двунаправленными выводами 170
13.3.3. Схемы с памятью 171
13.3.4. ПМЛ с разделяемыми конъюнкторами 172
13.4. Базовые матричные кристаллы (вентильные матрицы с масочным программированием) 173
13.4.1. Классификация БМК 176
13.4.2. Параметры БМК 180
13.5. Программируемые вентильные матрицы 181
13.6. Программируемые коммутируемые матричные блоки 196
14. Перспективные направления развития микроэлектроники 185
14.1. Основные направления развития функциональной микроэлектроники 185
14.2. Оптоэлектроника и фотоника 191
14.2.1. Оптроны 192
14.2.2. Фотоизлучатели 193
14.2.3. Фотоприемники 195
14.2.4. Световоды 196
14.2.5. Интегральная оптика 197
14.2.5. Оптоэлектроннные ИМС 198
Литература 201

Постоянный рост требований к электронным системам приема, передачи и обработки информации непрерывно инициирует появление новых различных информационных схем, ориентированных на решение самых разнообразных задач. Несмотря на огромное число видов этих схем и особенности их структур, технология их изготовле¬ния базируется на одних и тех же принципах, в основе которых лежит использование процессов, происходящих в полупроводниках.
В связи с этим материал пособия предусматривает последовательное рассмотрение как принципов построения и действия основных типов полупроводниковых электрорадиоэлементов, так и наиболее часто используемых в телекоммуникационных системах и системах обработки информации базовых функциональных электронных схем — как аналоговых, так и цифровых.
Содержание книги ориентировано на специалистов по системам связи и телекоммуникаций, а также по обработке информации в них, поэтому соответствует требованиям действующих образовательных стандартов по данным специальностям.